Какие параметры диода и как меняются с ростом температуры?, НГТУ, электроника, контрольная

Фрагмент работы:

Скачок потенциала на границе p- и n-областей равен:

[image]

где nn, pp – концентрации электронов и дырок в n- и p-областях соответственно; qe – заряд электрона; k=1.38*10-23 Дж/(моль*К)– постоянная Больцмана, а ni – собственная концентрация носителей, зависящая от температуры:

[image]

где Nc, Nv – плотности состояний в зоне проводимости и валентной зоне полупроводника.

В результате, выражение для температурной зависимости для скачка потенциала принимает вид:

[image]