Задачи: 3.2.1., 3.2.2., 3.2.3 и 3.4.2. Вариант 1, СибГУТИ, химия радиоматериалов, контрольная

Фрагмент работы:

Контрольная №3

Задача №3.2.1

:

Материал

Si

Примесь

Sb

[image]

[image]

[image]

[image]

Параметры Si:

ширина запрещённой зоны: [image]

плотность состояний в зоне проводимости: [image]

плотность состояний в валентной зоне: [image]

в собственном полупроводнике концентрации электронов и дырок равны собственной концентрации ni:

[image]

[image]

[image]

Для Si примесь Sb является донором, тогда:

[image]

[image]

[image]

[image]

:

в собственном: [image][image]

в примесном: [image][image]

Задача №3.2.2

[image]

[image]

Проводимость полупроводника смешанного типа:

[image]

здесь mn, mp — подвижности электронов и дырок.

для Si:

[image] [image]

собственная концентрация носителей при заданной температуре:

[image]

[image]

по условию предыдущей задачи:

[image] [image]

проводимость равна:

[image]

[image]

g=4.48 Сим/м

Задача №3.2.3

t

Материал: Si n-типа

[image]

[image]

для n-Si подвижность равна:

[image]

Длина диффузии равна: [image]

Коэффициент диффузии найдём из соотношения Эйнштейна: [image]

[image]

[image]

[image]

[image]

Задача №3.4.2

[image]

[image]

[image]

для феррита НН400[image]

Магнитная проницаемость материала равна:

[image]

[image]

Диэлектрическая проницаемость магнитодиэлектрика:

[image]

[image]

[image]

[image]